邹世昌，材料科学家，中国科学院上海冶金研究所研究员，1991当选为中国科学院学部委员（院士）。1931年7月生于上海，1952年毕业于唐山交通大学冶金工程系。1954年赴苏留学，1958年获前苏联莫斯科有色金属学院副博士学位。回国后一直在上海冶金所（现上海微系统所）工作，历任离子束开放实验室主任、所长。先后担任离子注入和材料改性两个国际学术会议的国际委员会委员。曾受聘为德国慕尼黑弗朗霍夫学会固体技术研究所客座教授。1986年当选为中共上海市第五届委员会候补委员。1992年当选为中共第十四届中央委员会候补委员。现任上海微系统所研究员，博士生导师，并任上海市集成电路行业协会会长、上海华虹 NEC电子有限公司副董事长。

邹世昌院士主要从事半导体材料与器件的研究。60年代负责国防重点任务甲种分离膜加工成形部分工作，对技术路线进行优选决策。70年代以后独创用二氧化碳激光背面辐照获得了离子注入损伤的增强退火效应。研究了分子离子注入的损伤增强效应。用全离子注入技术研制成中国第一块120门砷化镓门阵列电路,用反应离子束加工成中国第一批闪光全息光栅。他先后主持研究半导体离子注入、SOI技术、离子束微细加工等材料科学项目，研究 SOI 材料并 制成CMOS／SOI电路。发展了离子束增强沉积技术并合成氮化硅，氮化钛薄膜。他分别获得国家发明奖一等奖、中国科学院科技进步一等奖和中国科学院自然科学科技进步奖12项,1996年获“国家有突出贡献的中青年专家”称号。